هم رسان: IBM طی چند روز اخیر اعلام کرد همکاری های صنعتی با شرکای خود یعنی سامسونگ و Globalfoundries داشته تا ترانزیستورهای نانوشیت سیلیکونی برای تراشه های 5 نانومتری تولید کند.

به گزارش پایگاه خبری هم رسان به نقل از ابرگیزمو، این شرکت توانسته تنها دو سال پس از تولید یک تراشه 7 نانومتری با 20 میلیارد ترانزیستور، این تراشه را طراحی و تولید کند. در این فرایند جدید شرکت توانسته 30 میلیارد ترانزیستور را در یک تراشه بند انگشتی قرار دهد. IBM قصد دارد جزئیات مربوط به این فرایند را در سمپوزیوم سال 2017 در کنفرانس مدارات و فن آوری VLSI در کیوتوی ژاپن منتشر کند.
در این تراشه نیز از همان لیتوگرافی به وسیله اشعه ماوراء بنفش استفاده شده که در تراشه های 7 نانومتری نیز دیده می شد. در این فرایند طراحی پردازنده FinFET کنار گذاشته شده و از نانوشیت های سیلیکونی استفاده شده است.

IBM تراشه ی پنج نانو متری این تغییر باعث می شود سوئیچ های مستقل به دقت تنظیم شوند؛ به طوریکه اگرچه در یک فضای بسیار کوچک قرار گرفته اند اما عملکرد آنها تا حد زیادی افزایش می یابد. IBM معتقد است این افزایش در عملکرد به پیشرفت محاسبات رایانه ای شناختی، اینترنت اشیاء و دیگر کاربردهای داده متمرکز مبتنی بر ابر کمک خواهد کرد.
همچنین صرفه جویی در انرژی در این تراشه ها می تواند عمر باطری به کار رفته درگوشی های هوشمند و دیگر دستگاه ها را تا سه برابر افزایش دهد. گفته می شود زمان زیادی طول خواهد کشید تا دستگاه های مجهز به تراشه های 5 نانومتری بازار را به قبضه خود در آورند.
تاکنون هیچ دستگاهی با تراشه 7 نانومتری وجود ندارد و در بهترین حالت تا پیش از 2018 نمی توان انتظار آنها را داشت. بنابراین راهی طولانی برای نگرانی درباره دستگاه هایی با بیشترین عملکرد داریم.